场效应晶体管（Field Effect Transistor，简称FET），又称为场效应管，是一种重要的半导体器件。它是一种基于电场控制电荷运动的元件，具有高输入阻抗、低输出阻抗和微小功率损耗的特点。场效应晶体管由金属栅极、绝缘层和半导体构成。当在栅极上施加电压时，通过绝缘层的电场形成的电场效应，使得半导体中的载流子浓度发生变化，从而控制了晶体管的导电特性。由于场效应晶体管的高输入阻抗，可实现电压放大，广泛应用于各种电子设备中，如放大器、开关等。与另一种常见的晶体管，即双极型晶体管相比，场效应晶体管在工作原理、特性和应用范围上都有所不同。场效应晶体管作为一种重要的半导体器件，发挥着重要的作用，广泛应用于电子行业。
